Micron Technology apporta miglioramenti all’accordo di Joint Venture Inotera Memories

Boise, Idaho, (GLOBE NEWSWIRE) Micron Technology, Inc. (Nasdaq: MU) ha oggi annunciato di aver stipulato accordi con Nanya Technology Corporation per migliorare il loro rapporto nella joint venture riguardante Inotera Memories Inc., un importante produttore taiwanese di memorie DRAM, e apportare perfezionamenti al loro accordo di sviluppo congiunto. I nuovi accordi hanno effetto immediato. Le modifiche includono un nuovo accordo di fornitura tra Micron e Inotera in base al quale Micron si preparerà all’acquisto di tutta la produzione manifatturiera di Inotera, con Micron che acquisterà sostanziale tutta la produzione a partire dai primi mesi del 2013. In base agli accordi precedenti, Nanya e Micron erano generalmente obbligate ad acquistare metà della produzione di Inotera. Anche i termini commerciali del nuovo accordo di fornitura tra Micron e Inotera sono cambiati. Secondo il nuovo accordo, il prezzo di acquisto di Micron per la produzione di Inotera è basato sul prezzo di mercato, anziché in relazione alla condivisione del margine, come era previsto dal precedente accordo. Inoltre Nanya non parteciperà più al programma di sviluppo tecnologico delle DRAM in collaborazione con Micron, che è stato avviato quando Micron e Nanya avevano creato la joint venture di Inotera nel 2008. Micron, inoltre, fornirà a Nanya una licenza tecnologica soggetta a royalty.
Micron e Nanya collettivamente continueranno a detenere la maggioranza delle azioni di Inotera, tenendo conto che Nanya, o le sue società affiliate, acquisiranno probabilmente nel prossimo anno una partecipazione di capitale maggiore. Micron, Nanya e i loro affiliati attualmente sono rispettivamente in possesso di circa il 40 per cento e il 29 per cento delle azioni in circolazione di Inotera.Gli accordi oggi annunciati non cambiano le stime del secondo trimestre fiscale 2013 precedentemente comunicate riguardanti la crescita della produzione di bit DRAM, della ricerca e sviluppo e del prezzo di vendita medio trimestrale stimato (includendo il mix di prodotti previsti per il trimestre) e il costo per bit.
Micron Technology Inc. è uno dei maggior fornitori al mondo di soluzioni avanzate per semiconduttori. Attraverso i suoi impianti di produzione a livello mondiale la Micron produce e commercializza una gamma completa di memorie DRAM, memorie flash NAND e NOR, così come altre tecnologie di memoria innovative, moduli di memoria e sistemi a semiconduttori per l’uso in prodotti d’avanguardia, prodotti al consumo, per il networking, per la telefonia mobile e sistemi integrati. Le azioni ordinarie della Micron sono quotate al NASDAQ con il simbolo MU. Per ulteriori informazioni su Micron Technology Inc., visitare il sito http://www.micron.com

Micron Technology conferma le trattative con i fiduciari di Elpida Memory

Boise, Idaho, (GLOBE NEWSWIRE) — Micron Technology, Inc. (Nasdaq: MU), ha oggi confermato di essersi impegnata in trattative con i fiduciari di Elpida Memory, Inc. per acquisire le attività di Elpida.Micron ha fatto l’annuncio subito dopo l’approvazione del 10 maggio della Corte Distrettuale di Tokyo, consentendo ai fiduciari di Elpida di negoziare un accordo con la Micron, in base al quale la stessa Micron si impegna ad essere lo sponsor di Elpida ed acquisire l’intera azienda di Elpida in conformità con le procedure di riorganizzazione aziendale. Elpida, un produttore di semiconduttori di memoria DRAM, ha presentato una petizione per l’avvio di una procedura di riorganizzazione aziendale con la Corte distrettuale di Tokyo ai sensi della legge Giapponese di riorganizzazione societaria del 27 febbraio 2012, con il quale sono state avviate tutte le azioni per il procedimento.
Elpida ha recentemente intrapreso una procedura di gara per selezionare una società disposta a “sponsorizzare” Elpida durante i lavori di ristrutturazione aziendale e di acquisire le attività dell’azienda. In questo processo, Elpida ha deciso di andare avanti nei negoziati con Micron come potenziale sponsor.
Micron Technology Inc. è uno dei maggior fornitori al mondo di soluzioni avanzate per semiconduttori. Attraverso i suoi impianti di produzione a livello mondiale la Micron produce e commercializza una gamma completa di SSD, memorie DRAM, memorie flash NAND e NOR, così come altre tecnologie di memoria innovative, moduli di memoria e sistemi a semiconduttori per l’uso in prodotti d’avanguardia, prodotti al consumo, per il networking, per la telefonia mobile e sistemi integrati. Le azioni ordinarie della Micron sono quotate al NASDAQ con il simbolo MU. Per ulteriori informazioni su Micron Technology Inc., visitare il sito http://www.micron.com

Micron Announces Its First Fully Functional DDR4 DRAM Module

Boise, Idaho, (GLOBE NEWSWIRE) — Micron Technology, Inc. (Nasdaq:MU), one of the world’s leading providers of advanced semiconductor solutions, today announced development of its first fully functional DDR4 DRAM module. The company has begun sampling and has received feedback from major customers to support quick implementation for applications in 2013. It is expected that the enterprise and micro-server markets will take full advantage of the new features and specifications designed into DDR4, accelerating early adoption of the technology. In addition, the fast-growing ultrathin client and tablet markets will also benefit from new opportunities enabled by the power savings and performance features of Micron’s DDR4. Codeveloped by Nanya and based on Micron’s 30-nanometer (nm) technology, the 4-gigabit (Gb) DDR4 x8 part is the first piece of what is expected to be the industry’s most complete portfolio of DDR4-based modules, which will include RDIMMs, LRDIMMs, 3DS, SODIMMs and UDIMMs (standard and ECC). For the soldered down space, x8, x16, and x32 components will also be available, with initial speeds up to 2400 megatransfers per second (MT/s), increasing to the JEDEC-defined 3200 MT/s.
As JEDEC finalizes the DDR4 specifications, Micron is positioned to quickly become fully compliant with its 30nm 4Gb DDR4 part. Full sampling to key partners began earlier this year and volume production is planned for 4Q12.
Micron Technology, Inc., is one of the world’s leading providers of advanced semiconductor solutions. Through its worldwide operations, Micron manufactures and markets a full range of SSDs, DRAM, NAND and NOR flash memory, as well as other innovative memory technologies, packaging solutions and semiconductor systems for use in leading-edge computing, consumer, networking, embedded and mobile products. Micron’s common stock is traded on the NASDAQ under the MU symbol. To learn more about Micron Technology, Inc., visit http://www.micron.com.

Micron Launches New Product Category of Low-Standby-Power

Boise Idaho, CET (GLOBE NEWSWIRE) Micron Technology, Inc. (Nasdaq:MU) is extending its legacy of memory leadership by introducing a new product category of low-power DDR3 solutions targeted at the tablet and ultrathin markets. These 2-gigabit (Gb) and 4Gb “DDR3Lm” solutions focus on low self-refresh power (IDD6) for longer battery life, while maintaining the high performance and cost effectiveness of PC DRAM. The first 2Gb DDR3Lm will provide up to 50 percent self-refresh power savings versus standard 2Gb DDR3L while driving performance up to -1600 MT/s when needed. Micron’s 4Gb DDR3Lm product delivers the same optimized power efficiency as the 2Gb part, with a reduced chip count that is ideally suited for ultrathin and tablet customers. Both 2Gb and 4Gb DDR3Lm will be adopted into Micron’s 30-nanometer (nm) class to further optimize the power and performance features, with the 4Gb device hitting a 3.7mA IDD6 target in standby mode, yet still supporting speeds up to -1866 MT/s. “Power reduction is becoming ever more critical in the fast growing ultrathin markets. Micron’s expertise with traditional PC memory requirements enables these markets to enjoy high performance targets and optimal cost efficiencies,” said Robert Feurle, vice president for Micron’s DRAM marketing. “The combination of our commitment to customer collaboration and dedication to leading the way in DRAM technologies has proven highly successful, and this new class of 30nm DRAM continues to deliver on that promise.” “As computing becomes more and more mobile, longer battery life is increasingly valuable to end users,” said Geof Findley, Intel’s senior memory enabling manager. “The reduced standby power consumption of low-power memory is a move in the right direction.”
Sampling of Micron’s new DDR3Lm low-power product line begins now, with volume production on 30nm class devices expected to begin in 2Q’12. For more information about DDR3Lm, visit http://www.micron.com/products/dram/ddr3-sdram.

Micron Technology Inc.: i risultati del primo trimestre anno fiscale 2012

Boise, Idaho.

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Micron Technology, Inc., (Nasdaq: MU) ha annunciato oggi i risultati delle operazioni per il suo primo trimestre per l’anno fiscale 2012, che si è concluso l’1 dicembre 2011. Per il primo trimestre la società ha avuto una perdita netta attribuibile agli azionisti Micron di 187 milioni di dollari, o 0,19 dollari per azione diluita, su un fatturato netto di 2,1 miliardi di dollari. I risultati del primo trimestre fiscale 2012 si confrontano con una perdita netta di 135 milioni di dollari, o 0,14 dollari per azione diluita, su un fatturato netto di 2,1 miliardi dollari del quarto trimestre dell’anno fiscale 2011, e con un utile netto di 155 milioni di dollari, o 0,15 dollari per azione diluita, su un fatturato netto di 2,3 miliardi dollari del primo trimestre dell’anno fiscale 2011.Il Margine lordo consolidato dell’azienda è rimasto al 15 per cento per il primo trimestre dell’anno fiscale 2012. Il miglioramento dei margini delle memorie Flash NAND sono stati compensati dai cali registrati nelle memorie DRAM. I ricavi delle vendite dei prodotti Flash NAND è stato del 6 per cento più alto nel primo trimestre dell’anno fiscale 2012 rispetto al quarto trimestre dell’anno fiscale 2011 a causa di un aumento del 18 per cento del volume delle vendite, in parte compensato da una diminuzione del 10 per cento dei prezzi medi di vendita. I ricavi delle vendite dei prodotti DRAM sono rimasti sostanzialmente invariati nel primo trimestre dell’anno fiscale 2012 rispetto al trimestre precedente, poichè l’incremento del 14 per cento del volume delle vendite è stato compensato da una diminuzione del 12 per cento dei prezzi medi di vendita. Le vendite dei prodotti flash NOR sono stati circa il 14 per cento del totale delle vendite nette del primo trimestre dell’anno fiscale 2012.Il flusso di cassa relativo alle operazioni per il primo trimestre dell’anno fiscale 2012 è stato di 404 milioni di dollari. Durante il primo trimestre dell’anno fiscale 2012 l’azienda ha investito circa 750 milioni di dollari in spese in conto capitale. La società ha chiuso il trimestre con liquidità e investimenti a breve termine pari a 1,9 miliardi di dollari.La società terrà una teleconferenza mercoledì 21 dicembre alle 14:30 del fuso orario statunitense MST per discutere i risultati finanziari. L’audio e la presentazione saranno disponibili online all’indirizzo http://investors.micron.com/events.cfm. Il replay del webcast sarà disponibile sul sito web della società fino al 28 dicembre 2012. Una replica audio registrata della teleconferenza sarà disponibile al numero telefonico (404) 537-3406 (identificativo della conferenza: 37217947) con inizio alle ore 17:30 del fuso orario statunitense MST di mercoledì 21 dicembre 2011 e fino alle ore 17:30 del fuso orario statunitense MST di mercoledì 28 dicembre 2011.
Micron Technology Inc. è uno dei maggior fornitori al mondo di soluzioni avanzate per semiconduttori. Attraverso i suoi impianti di produzione a livello mondiale la Micron produce e commercializza una gamma completa di memorie DRAM, memorie flash NAND e NOR, così come altre tecnologie di memoria innovative, moduli di memoria e sistemi a semiconduttori per l’uso in prodotti d’avanguardia, prodotti al consumo, per il networking, per la telefonia mobile e sistemi integrati. Le azioni ordinarie della Micron sono quotate al NASDAQ con il simbolo MU. Per ulteriori informazioni su Micron Technology Inc., visitare il sito http://www.micron.com

Micron Technology, Inc., Reports Results for the First Quarter of Fiscal 2012

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Boise, Idaho, Micron Technology, Inc., (Nasdaq:MU) today announced results of operations for its first quarter of fiscal 2012, which ended December 1, 2011. For the first quarter, the company had a net loss attributable to Micron shareholders of $187 million, or $0.19 per diluted share, on net sales of $2.1 billion. The results for the first quarter of fiscal 2012 compare to a net loss of $135 million, or $0.14 per diluted share, on net sales of $2.1 billion for the fourth quarter of fiscal 2011, and net income of $155 million, or $0.15 per diluted share, on net sales of $2.3 billion for the first quarter of fiscal 2011. The company’s consolidated gross margin remained at 15 percent for the first quarter of fiscal 2012. Improvements in NAND Flash margins were offset by declines in DRAM. Revenue from sales of NAND Flash products was 6 percent higher in the first quarter of fiscal 2012 compared to the fourth quarter of fiscal 2011 due to an 18 percent increase in sales volume partially offset by a 10 percent decrease in average selling prices. Revenue from sales of DRAM products was essentially unchanged in the first quarter of fiscal 2012 compared to the previous quarter, as a 14 percent increase sales volume was offset by a 12 percent decrease in average selling prices. Sales of NOR Flash products were approximately 14 percent of total net sales for the first quarter of fiscal 2012. Cash flows from operations for the first quarter of fiscal 2012 were $404 million. During the first quarter of fiscal 2012, the company invested approximately $750 million in capital expenditures. The company ended the quarter with cash and short-term investments of $1.9 billion. The company will host a conference call Wednesday, Dec. 21 at 2:30 p.m. MST to discuss its financial results. The call, audio and slides will be available online at http://investors.micron.com/events.cfm. A webcast replay will be available on the company’s website until Dec. 28, 2012. A taped audio replay of the conference call will also be available at (404) 537-3406 (conference number: 37217947) beginning at 5:30 p.m. MST Wednesday, Dec. 21, 2011 and continuing until 5:30 p.m. MST on Wednesday, Dec. 28, 2011.Micron Technology, Inc., is one of the world’s leading providers of advanced semiconductor solutions. Through its worldwide operations, Micron manufactures and markets a full range of DRAM, NAND Flash and NOR Flash memory, as well as other innovative memory technologies, packaging solutions and semiconductor systems for use in leading-edge computing, consumer, networking, embedded and mobile products. Micron’s common stock is traded on the NASDAQ under the MU symbol. To learn more about Micron Technology, Inc., visit http://www.micron.com. The Micron Technology, Inc. logo is available at http://www.globenewswire.com/newsroom/prs/?pkgid=6950

Micron and Samsung Launch Consortium to Break Down the Memory Wall

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Boise, Idaho and Seoul, Korea, Samsung Electronics Co., Ltd. and Micron Technology, Inc. (Nasdaq:MU), — world leaders in memory technology — today announced the creation of a consortium for OEMs, enablers and integrators that will collaborate in developing and implementing an open interface specification for an innovative new memory technology called the Hybrid Memory Cube (HMC). Micron and Samsung are the founding members of the Hybrid Memory Cube Consortium (HMCC), and will work closely with fellow developers Altera Corporation, Open Silicon, Inc., and Xilinx, Inc. to collectively accelerate industry efforts in bringing to market a broad set of technologies. The consortium will initially define a specification to enable applications ranging from large-scale networking to industrial products and high-performance computing. One of the primary challenges facing the industry — and a key motivation for forming the HMCC — is that the memory bandwidth required by high-performance computers and next-generation networking equipment has increased beyond what conventional memory architectures can provide. The term “memory wall” has been used to describe the problem. Breaking through the memory wall requires a new architecture that can provide increased density and bandwidth at significantly reduced power consumption.
HMC capabilities are a leap beyond current and near-term memory architectures in the areas of performance, packaging and design efficiencies. By defining an industry interface specification for developers, manufacturers and architects, the consortium is committed to making HMC a successful new high-performance memory technology.
The HMCC’s memory specifications will be co-developed among the consortium members. The consortium is open to an unlimited number of adopters, with the opportunity to receive early access to draft specifications and participate in specification discussions and development. Additional information, technical specifications, tools and support for adopting the technology can be found atwww.hybridmemorycube.org.
HMCC Founded by leading members of the world’s semiconductor community, the Hybrid Memory Cube Consortium (HMCC) is dedicated to the development of an industry interface specification for the Hybrid Memory Cube technology. Members of the consortium presently include Micron Technology, Samsung Electronics, Altera Corporation, Open Silicon, Inc., and Xilinx, Inc., with additional companies in discussion to join. To learn more about the HMCC, visit http://www.hybridmemorycube.org.