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La prima memoria DDR3 che fornisce un Self-Refresh Powers

Posted by fidest press agency su sabato, 11 febbraio 2012

Boise, Idaho (GLOBE NEWSWIRE) Micron Technology, Inc. (Nasdaq: MU) sta ulteriormente espandendo il suo nome come leader delle memorie, introducendo una nuova categoria di prodotti DDR3 a basso consumo rivolti ai mercati dei Tablet e dei prodotti ultrasottili. Si tratta di soluzione di memoria “DDR3Lm”a 2-gigabit (Gb) e 4Gb mirate ad avere un basso self-refresh-power (IDD6) per una maggiora durata della batteria, pur mantenendo le elevate prestazioni e la convenienza delle memorie DRAM PC.La prima memoria di tipo DDR3Lm da 2Gb fornirà fino al 50 per cento di risparmio energetico per il self-refresh-power rispetto alle classiche memorie DDR3L da 2Gb, nel frattempo porterà le prestazioni fino a -1600 MT/s in base alle necessità. La memoria DDR3Lm da 4Gb di Micron garantisce la stessa efficienza di alimentazione ottimizzata della memoria da 2Gb, con un numero ridotto di chip, ideale per utenti Tablet e dei prodotti ultrasottili. Sia la memoria DDR3Lm da 2Gb che quella da 4Gb DDR3Lm entreranno a far parte delle classi di memorie Micron da 30 nanometri (nm) al fine di ottimizzare ulteriormente le caratteristiche di consumo energetico e di prestazioni, il dispositivo da 4Gb permette di raggiungere un livello di 3,7 mA IDD6 in modalità standby, continuando a supportare velocità fino a -1866 MT/s.”La riduzione di consumo energetico sta diventando sempre più critica nei mercati in rapida crescita dei prodotti ultrasottili. L’esperienza Micron sui requisiti delle memorie tradizionali per PC consente ai mercati di raggiungere obiettivi di alte prestazioni e di ottimizzare l’efficienza dei costi”, ha detto Robert Feurle, vice presidente per il marketing DRAM di Micron. “La combinazione del nostro impegno a collaborare con i clienti e la dedizione ad aprire nuove strade nel campo delle tecnologie DRAM si è dimostrata di grande successo, e questa nuova classe di memoria DRAM da 30nm continua a mantenere questa promessa.””Nello stesso modo in cui l’elettronica diventa sempre più mobile, la durata della batteria diventa sempre più preziosa per gli utenti finali”, ha dichiarato Geof Findley, senior memory enabling manger di Intel. “Il ridotto consumo energetico in modalità standby della memoria a basso consumo rappresenta un passo nella giusta direzione.” Sono ora in distribuzione campioni della nuova linea di prodotti DDR3Lm a basso consumo energetico, la produzione in volume dei dispositivi di classe 30nm dovrebbe iniziare nel secondo trimestre 2012. Per ulteriori informazioni sul prodotto DDR3Lm, visitare il sito http://www.micron.com/products/dram/ddr3-sdram.

Una Risposta a “La prima memoria DDR3 che fornisce un Self-Refresh Powers”

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